與第一代和第二代半導(dǎo)體材料相比，新一代半導(dǎo)體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導(dǎo)率、更大的電子飽和速度以及更高的抗輻射能力，更適合制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件，是引領(lǐng)新一輪產(chǎn)業(yè)革命的關(guān)鍵材料，也是引領(lǐng)新舊動能轉(zhuǎn)換的利器。

山東大學(xué)新一代半導(dǎo)體材料研究院是教育部首批支持的戰(zhàn)略科技創(chuàng)新平臺，依托山東大學(xué)開展建設(shè)。研究院充分發(fā)揮學(xué)校在半導(dǎo)體材料研究領(lǐng)域的已有優(yōu)勢，通過整合校內(nèi)微電子、物理、化學(xué)、材料、機(jī)械、控制、信息等優(yōu)勢學(xué)科力量，瞄準(zhǔn)半導(dǎo)體材料技術(shù)未來發(fā)展方向，面向能源、信息、軌道交通等領(lǐng)域的重大需求，重點開展碳化硅、氮化鎵、氧化鎵、金剛石、氮化鋁等新一代寬禁帶、超寬禁帶半導(dǎo)體單晶材料及器件研究工作，旨在突破關(guān)鍵核心技術(shù)，支撐核心產(chǎn)業(yè)發(fā)展，推動我國新一代半導(dǎo)體、集成電路、信息技術(shù)的快速發(fā)展，滿足經(jīng)濟(jì)建設(shè)的重大需求。

山東大學(xué)將研究院建設(shè)列為“雙一把手工程”，舉全校之力、集全校之智予以重點推進(jìn)。作為學(xué)術(shù)特區(qū)，研究院實行管理委員會領(lǐng)導(dǎo)下的主任負(fù)責(zé)制，管理委員會主任由校長擔(dān)任。學(xué)校為研究院在校內(nèi)新建1.2萬平方米研發(fā)中心大樓，配備各類先進(jìn)儀器設(shè)備，給予穩(wěn)定的經(jīng)費(fèi)與政策支持。研究院創(chuàng)新科研攻關(guān)模式，以攻關(guān)任務(wù)為導(dǎo)向，給予青年教師充分自主權(quán)；構(gòu)建起“一中心多基地”的發(fā)展格局，圍繞產(chǎn)業(yè)鏈部署創(chuàng)新鏈，與華為等龍頭企業(yè)建立深度合作關(guān)系；組建起一支包括教育部“長江學(xué)者”特聘教授、國家杰出青年基金獲得者、中組部“萬人計劃”入選者等在內(nèi)的高端研究團(tuán)隊。研究院作為晶體材料國家重點實驗室的重要支撐，將以更加開放的姿態(tài)和國際化的視野，珍視機(jī)遇，不辱使命，力爭成為我國新一代半導(dǎo)體材料及器件產(chǎn)業(yè)化技術(shù)策源地。