1956年，在我國十二年科學(xué)技術(shù)發(fā)展遠(yuǎn)景規(guī)劃中，半導(dǎo)體科學(xué)技術(shù)被列為當(dāng)時國家新技術(shù)四大緊急措施之一。為了創(chuàng)建中國半導(dǎo)體科學(xué)技術(shù)的研究發(fā)展基地，國家于1960年9月6日在北京成立中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所（以下簡稱“半導(dǎo)體所”），開啟了中國半導(dǎo)體科學(xué)技術(shù)的發(fā)展之路。

建所60多年來，半導(dǎo)體所在我國半導(dǎo)體科技發(fā)展的各個歷史階段都曾做出過重大貢獻(xiàn)，研制出中國第一只鍺晶體管、硅平面晶體管、半導(dǎo)體固體組件；研發(fā)出第一根鍺單晶、硅單晶、砷化鎵單晶；制造出第一臺硅單晶爐、區(qū)熔爐······取得了一系列重大原創(chuàng)性成果。共獲得國家級獎勵近40項，黃昆院士榮獲2001年度國家最高科學(xué)技術(shù)獎。半導(dǎo)體所現(xiàn)已發(fā)展成為集半導(dǎo)體物理、材料、器件及其系統(tǒng)集成應(yīng)用于一體的國家級半導(dǎo)體科學(xué)技術(shù)的綜合性研究機(jī)構(gòu)。

回顧歷史，令人鼓舞；展望未來，任重道遠(yuǎn)。在此，我謹(jǐn)代表半導(dǎo)體所黨政領(lǐng)導(dǎo)班子和全體同志，向長期以來關(guān)心和支持半導(dǎo)體所建設(shè)和發(fā)展的各級領(lǐng)導(dǎo)、海內(nèi)外廣大朋友和社會各界人士，致以誠摯的問候和衷心的感謝！

目前正值實施“率先行動”計劃第二階段和“十四五”規(guī)劃關(guān)鍵時期,半導(dǎo)體所將以習(xí)近平新時代中國特色社會主義理論為指導(dǎo)，全面落實院黨組的各項要求，牢記國家戰(zhàn)略科技力量的使命與擔(dān)當(dāng)，把“四個率先”和“兩加快一努力”作為一切工作的出發(fā)點和落腳點，抓住機(jī)遇，迎接挑戰(zhàn)，搶占科技制高點，實現(xiàn)半導(dǎo)體所的高質(zhì)量發(fā)展，為半導(dǎo)體科技領(lǐng)域的自立自強(qiáng)作出應(yīng)有貢獻(xiàn)！